反射鏡片是德國蔡司公司做的，每個反射鏡底材是用雷射加Plasma精密加工，然後再鍍上至少50層每層5~6nm厚度矽鉬材料，表面平整度比韋伯望遠鏡的反射鏡片還要高，並且最後倒數第二片反射鏡(Hi-NA EUV增大NA用途關鍵)是帶有弧度的，弧形精密度到達奈米級弧度精密程度，角度還要經過精密計算，否則極紫外光會被吸收減弱，並且面積超大，就是給你30年，你也做不出來。 第二個難關是極紫外光產生器，這是要用功率極高且壽命超長的雷射產生器，以每秒50000次用雷射射擊錫滴，每個錫滴射擊兩次來產生極紫外光。 你是要怎麼控制高溫熔融錫滴的產生與滴漏? 每兩個錫滴間的時間間隔控制? 每個錫滴的大小的控制? 雷射光源的穩定性控制? 可以每天24小時工作? 如何散熱? 一大堆專利你能破解? ASML為了找到最適當的極紫外光源，前後花了 共計超過10多年，連同步輻射高能加速器都研究過，你在這世上已經絕對找不到其他的任何方法了，不幸的是ASML已經把所有相關的專利申請完了外， 就是給你抄，你也抄不出來。光用嘴巴說些打雞血的話，沒個毛用。 第三個難關是空白光罩，這也是日本寡佔的領域，製作原理跟反射鏡類似，但是難在要經過仔細計算避免3D效應，這又一個獨門技術，世上也沒超過三家能做。 第四個難關是光阻劑，這個之難難如登天，也是日本寡佔的領域。 每個先進製程節點所使用的光阻劑配方都不同，並且在研發階段就要用EUV機台作驗證，試問那個客戶願意把上億美金的EUV機台挪出來給你試? 並且一試就要至少半年到一年，光試你的光阻劑廠家就要賠上多少錢與時間? 看看韓國自己要作EUV光阻劑的結果，就知道為甚麼三星的良率如此差。 第五個難關是雙工作平台，在高速40G加速度的輪動下，整體的位移偏差加上機台的誤差，其覆蓋誤差(overlay Error)不到2nm，看看上微作的機台Overlay誤差是多少? 近90nm誤差。 大家一直以為ASML只是做曝光機的廠商，這是大錯特錯。ASML所提供給客戶的是所有曝光相關的問題一站解決者，他除了曝光機外，還有光學與電子束檢驗機，外加Brian大數據分析AI系統，OPC光罩修正驗證軟體系統，能夠將所有曝光相關的Defect，包括光阻劑塗布厚度，軟/硬烤，蝕刻前後檢驗與光罩圖形OPC修正都整合在一起，提供工程師修正所有EUV曝光問題，光憑這一點，給你30年，你也是做不出來。 ASML所有產品，包括EUV，DUV，DUVi，光學檢驗機，電子束檢驗機，OPC光罩修正及檢驗軟體，大數據統計分析AI系統，整體才算是一個完整的體系，而曝光機僅是其中一部分而已。 沒這個體系建立起來，你就是有幾台EUV曝光機在手，一樣也會是一堆廢物，懂嗎? 這是超過30多個國家近600家最厲害的供應商，齊心合作打造出來的體系，世上再也找不出來第二家。 有緣的人如果能去Connecticut Wilton看過ASML在美國的組裝廠，你就知道所言無虛。 PS. 回頭再加一段 台積電是不可能自己發展EDA的，台積電本身只會提供EDA廠加他的PDK，Design Reference Manual，Design Rules，SPICE得出的資料等，供給IC設計者在用EDA設計中的模擬，驗證。 EDA沒這些半導體廠商提供的這些資料，他只能設計個渣出來，比廚餘垃圾還不如。 台積電最適合做與EDA相關的工作，就是開發各製程的IP模組，並且先上過自己的產線做過驗證，再以有償或無償方式提供給客戶設計晶片時採用，以節省客戶設計時間並保證有高良率產出，這就無形中增加了台積電在同業間的競爭力，例如有關ARM架構相關的硬核IP，台積電擁有的數量就是世界前幾名，這也是三星與Intel遠遠敢不上台積電一個隱形原因。 要知道光一個5nm製程稍微複雜的IP，其價格就要超過500多萬美金，做一個精密5nm晶片從設計初始到留片前，沒花你個5，6億美金簡直就是笑話，所以三星那個幫盤矽作的3nm晶片，基本上就是一個笑話，當現在有那個廠商把它當回事在看? 有嗎? 發展EDA工具你沒有超過30多年以上的投入，你想發展一個全面性應用的EDA，那就是在說夢話與傻話。一個完整的EDA工作不是單僅有Functional，Timing，Power，Thermal，Reliability，EM模擬驗證就夠了，要作到SoC還要加入Mechanical，Moldflow等等，試問誰有這麼多方面的人才與實驗數據? 這頭部三間大的ESDA也是沒有，全靠這20多年來的併購其他專業公司來完成的，美加源工人射都在萬人以上，每年研發費用就佔了40%營收以上，專利完全被它們給霸佔了，後來者多半只有吃土的份，除非你在這裏面某一小段技術中有你獨強的能力。在製作光罩圖案GDSII時，你也要用到OPC修正與驗證工具。另外就是要與半導體廠合作，在半導體各個製程相關的規格與設計規範，與之驗證，Debug，Update，這一來一往的時間與投資也是非常可怕的，沒經年累月彼此的合作，那個客戶敢用你的EDA工具? 一個先進製程精騙我前面說過要花費多少鈔票，你只會做一個晶片嗎? 當然不會只做一個晶片，所以你敢用一些沒經過驗證的EDA工具嗎? EDA工具是有生命的，他會隨遮時間，半導體製程的前進，技術的改進，一直升級中，不會有中斷情況，所以EDA廠家的投資也是會一直加碼，這也是EDA廠家的經營管理的難處之一。 不要以為買了個EDA工具就萬事大吉，設計出晶片就可以指日可待，沒這些工具與半導體的切合，你是啥都做不出來。 沒這些後續升級，客戶就立刻在技術上落伍了。所以只要在半導體廠相關技術資料，IP設計商，Auto-layput，DRC，DM把你給掐住，你就立刻吃土去了。 懂行的就知道我在說什麼。

以科普的角度而言，這影片真的很棒！ 讀者不同，閱讀需求也不同，普羅大眾求入門好懂不枯燥，業內專家多習慣自詡為師捨我其誰。影片的製作不可能討好所有閱讀群體，自我定位清楚即可…. 教專領英與晦澀轉白都是專業，都是對半導體產業重要的貢獻！

專業又易懂的影片

才发现这个科普up真不错，关注订阅先

我認為專精才有競爭力才能跟大家一同合作交流 台企先前的策略都是一條龍服務產品都鳥鳥的，現在都轉為專業分工合作，術業有專攻唯有掌握關鍵技術才能佔一席之地

很棒，讓我們這種非領域內的人可以初步理解半導體製程！

多謝，讓我有了個初步的認識。

我無法精準描述對此頻道的敬佩，你們搜集的資料跟文案的撰寫，都非常非常用心跟專業！將來我會把按讚的次數都留給你們！

DUV 光源 ArF (193n) 有immerison and dry 193nm, immersion 是一個很重要的里程碑

聽到曝光機就先點讚

科普頻道講到這樣，厲害欸👍

說真的! 半導體技術真的替台灣撐起一片天! 但製造的區位移轉也並非不會發生，我們還是應該要思考下一個製造方向，或者商業模式

對行外人不是很重要，不過 4:14 G-line (436nm) 在演進到 DUV 之前還有經過一個 I-line (365nm)，而 DUV 光源也有分 KrF (248nm) 跟 ArF (193nm)

希望可以了解比較新製程的封裝技術 ： ）

謝謝！

美國的美光亦成功研發出一種名為 1beta 的半導體製程，僅以 DUV 光刻機就能臻 EUV 光刻機的效果。

解說的超高水準….

很詳細

很中立，很公道。赞一个！

光是說「曝光機」而非「光刻機」，這部影片就值得給讚！

偶爾看到公司的產品被介紹還是蠻高興的。感謝您持續製作精良的影片讓普羅大眾能逐漸理解半導體。 07:09 一點淺見分享：你的影片動畫內容是正確的 (Spacer, hardmark..etc)，技術正確名字叫多重成像 (Multiple Patterning), 使用多次塗層與多次曝光，甚至還用到其他製程 (ex. Thin Film)才拼湊出一層電路，因此k1可以做到0.25的限制，實務上以193nm的產品製程來說，應該無法直接做出40nm以下的線寬 (測機可以)。通常兩種技術會並用，但是兩者不應該混淆。

辛苦了！

其實5nm也可以做出來的,只是放大看後可以明顯看出品質的差異,最重要的還有良率不佳喔

台灣繼續專注不與客戶競爭與依約守約的正直誠信。

淺顯易懂👍

It's amusing to watch this tube made a year ago. The result is not what people previously expected. Won't be surprised they can come out with their first generation EUV or an alternative exposure technology.

重發我就再看一次😂

各師各法，总会有出路的。

合作共贏一直是台灣的生意法則

NIL（納米壓印）也許能取代光刻機。中華民國能否研發它？

時辰到了

超級用心的影片！已訂閱

這影片是目前做的最好的半導體影片

多重曝光确实能够增强解析度，但是代价是多出好几倍的工程量和时间。技术上是可行的，但是成本变高了

GG好像有協助改良國內廠光阻劑的效能，是否達到GG的標準，是一個未知數。

我認為台灣晶片代工的領先是要繼續保有新鮮的肝的來源。

居然沒說長波光因為繞射性關係，微影像的邊緣會暈開而無法投映細小的影象。

技术发展很快,很广泛,视频所說的很快過时。

6:25 Why we need to let the light beam avoid each other? It will not interfere with each other if they cross.

原本是世界分工, 各自利用自身的長處促進世界進步. 現在是大家都想要自己做全套，浪費時間及精力呀！

目前3nm要進入量產還有得拼，看看那精美的yield跟搞不完的issues就知道了，每天都被defect弄到一個頭兩個大

讚👍！

我是外行人 這是不是跟以前的IC電鍍版一樣 就是一層一層的電路 所以越細的體積電路就越細

台灣之前也有發展EDA, 但最後公司被買走了

沒寫‘’光刻機‘，就給讚。’

來个(原子間距傳送打印法）做芯片吧

外行看熱鬧，內行看門道。就像我也能做火箭太空梭，只不過是紙做的罷了！

晶片最重要的還是良率，你良率低就算出到3奈米別人也不會花錢跟你買， 台積電強就強在有工程師新鮮的肝跟晶片的高良率與低放熱。

台湾的优势应该是在先进制程

台灣需源源不斷的提供新鮮的肝！😊

不亮率多少啊？

說白話、講行話，「泛科學」分寸拿捏用心，身為攝影師今天才知道先進技術把我知道的顯影重覆五十次以上就可以了，當然先進製程沒那麼簡單！老是認為天邊遠的台灣立國基礎、名揚國際的半導體科技，原來是可再教的、可普及的。 P.S參加台積電的股東會，公關建議大家上官網看它的先進技術…

真的是外行人看熱鬧，內行人看門道！😂 專業領域人才，優秀！

@sunny su 7 個月前 樓主的意思很簡單 就是如果你要走一樣的路 技術資料都給你 沒有全世界頂尖的廠商配合 給你50年都做不到 但你有其他的路可以走嗎? 或是說走其他的路有比較快? 其實我希望有 這樣世界又往前邁向一大步了

ASML 使用的镜片一直是德国蔡司生产的吧？

專注自己已經領先的 (製造、封裝、設計), 擴大領先, 已形成對其他技術的制衡 台灣搞EDA, 韓日中會用嗎? 沒有市場撐不起技術 搞化學, 自給自足, 這個還算有搞頭 搞設備, 門檻太高

這個是台積電內訓的教學吧！

到最後不能大量使用有什麼用？

良率

是我錯覺還是跨越了時空，怎記得幾天前看過這影片?

中芯那個多次曝光的並不是秘密！只是這樣成本大幅的上升，良率影響很大

乾脆用貝塔電子束替代紫外線吧。

先进制程简单说：更多的晶体管数量和热功耗之前的平衡。 几纳米只是营销噱头，英特尔10纳米晶体管数量就比台积电7纳米多一点点了

做的出來是一回事，能量產又是另一回事

最重要應該在管理部分加強核心價值與人員向心力，不然一直進步一直人員背叛總不是個辦法～

太難了這內容！哈哈哈哈😂

蜂巢結構可否破解立體構成，石墨烯是否可以破解，納米打印技術呢

感謝分享~

台積電2018年時的7nm也是用DUV做的，良率不高 7nm以下還用DUV做就沒商業價值了，良率極低

不用ＥＵＶ也可製造７奈米，可用過度曝光而造出，只是良率很差只有百分之四十良率，而四十也不穩定，使用零件期間也容易故障。

光雕機 製作晶片的關鍵

台積5奈米以上的 價格和數量 目前也沒幾間公司吃的下....

就光阻劑品質與穩定而言 不可否認日本是化工原料的霸主 各國當然能生產光阻劑 但 “品質” 應該是不用明說了

中芯的7nm? 別讓人噴飯。 自20nm採用FIN FET後在電晶體上面的尺寸就沒有一樣是符合幾nm的，懂嗎? 包括Fin的寬度，Fin與Fin之間的距離，CPP，MP，Treck，M0~M2線寬都沒一項能代表幾nm製程的。 現在全部都改用PPA (Performance，Power，Area)作為技術節點的分際。 所以那個中芯所謂的7nm就是一個假命題，它也可以自稱是6nm，8nm也行，幾nm製程這些都只是廠商的技術節點名稱，事實上比的就每個技術節點製程下的PPA。 所以中芯那個所謂的7nm，有PPA規格嗎? 沒有，那你在吹個什麼勁。 有PPA的話，那就拿出來跟台積電與三星號稱的 7nm比一比PPA，這才能證明你是有料還是沒料的貨。三星，台積電，Intel都有公佈PPA，這是業界的常規，而中芯為甚麼不公佈? 一群SB總以為7nm大家都是一樣的，這完全是外行。 台積電所謂7nm製程，其晶片電晶體沒有一項物理尺寸是7nm的，三星，Intel亦然，所以大家就是比三家彼此的PPA，誰強誰弱立竿見影，逃都逃不過，吹牛也行不通，那麼中芯7nm的PPA在那裏?

良率是個問題

只要是科學辦得到的 就沒有做不出來得 有時候只是有沒有想到而已

原來華為的60系列手機就是這樣來的，泛科學真是神預言~!

做别人认为难做费事的事。现在的荷兰光刻机和三星的芯片当初大家都认为难做不赚钱。

What is 中芯 in English? Where is it located?

1 : 6:09 為什麼還要找有效的材質? 不是有反光鏡 難道是機台可以再縮小 2 : 荷蘭有製造EUV的方法 怎麼自己沒有在研發晶片

能不能再做一期解释一下为啥大家都用asml的设备，但是各家水平却差异挺大？也就是说在晶圆厂拿到同样设备的前提下，为啥各家厂商的制程进度还是不一样？

我還記得 我講台灣需要新鮮的肝XDDD

很明顯就是台積電的人帶出來的技術

大陆芯片产业想要快速进步，需要给使用新开发国产设备的厂商进行大额补贴。

TSMC的7nm製程也沒有用到EUV啊，重點還是良率跟品質能否跟上客戶要求。

對中國來說，努力讓水準不在軍工需求上落後太多是首要目的，所以產能是次要的。

😍😍😍

最終目的還是良率及經濟效益

技術都來自於人, 中芯進步那麼快, 應該是中芯從台積電找到對的人.

我只能說，所有的科技不是只有一條道路，重點是你敢不敢花錢勇敢的走下去，財力，人才跟市場是一大重點。

台灣，全部都要啊😊😊😊

中芯並沒有表示自己做出7奈米，是美國第三方半導體檢測公司檢測出來的，中芯一直沒對這件事解釋過。

不過依照台積電的員工和中芯的員工去比較就可以知道很多都是從台積電挖角的，技術也是這樣外露給中芯的 而且聽說中芯的大將有一半以上都是台積電的前員工

真的是原本懂的人，才看的懂這影片，哈

Pitch 我們在業界通常翻譯成間距，距離通常是前緣對上後緣的距離

euv是全球人类工业文明的皇冠！

終於有人說對了，曝光機才是正確說法，很多媒體習慣稱光刻機，其實是外行人的講法。晶片的製作過程是透過光學微縮技術將電路圖像投影到晶片上面的感光層進行曝光，再利用具有腐蝕性的化學藥劑沖洗，如此就能得到一層完整電路圖，一般稱為微影製程，其原理和沖洗照片完全一樣，只是晶片比照片更小更精密製作過程也更加複雜。

哈哈哈！

👍

這集是不是之前就有公開過了？