Que bom que gostou. Muito obrigado 😀😀

Valeu demais, Jorge. Fico feliz em ler isso. Abração

Que bacana, Bruno. Fico feliz em saber que o conteúdo te ajudou. Abraço

Que bom que gostou, Mauricio. Valeuu 😬😬

Muito obrigado, Roberto 😬

Que bom que gostou. Valeuu 😬

Obrigado, Luiz 👊😬

Que bom que gostou, Maximiliano. Eu que agradeço por acompanhar o canal 😀

Muito obrigado, Lucas 👊😬

Valeu, Anderson 👊👊

Obrigado, Antonio 😬

Obrigado, Carlos 👊😀

Olá, Antonio. Não tem necessidade usar mais drives. É até melhor usar apenas um para evitar que os MOSFETs entrem em condução em instantes diferentes. Mas é muito importante considerar um resistor de gate para cada MOSFET; e ter em mente que o gate-drive terá que fornecer uma corrente de gate 8x maior do que no caso com apenas um MOSFET. Então, ou você escolhe um modelo que consiga fornecer essa corrente, ou diminui a frequência de chaveamento e deixa a comutação mais lenta (aumentando o resistor de gate) pra reduzir a corrente de gate.

@@CaioMoraesEP bom dia Agradecido pelas dicas vou precisar elabora um pra coloca num caminha ele vai alimenta uma módulo amplificador de áudio e presiza entrar 24a 28 e sai 12.7a13.9 com 60 amperes

Muito obrigado, Heitor. Seja bem vindo 👊😬

Legal, Jovenildo. Está nos meus planos 👊😀

A sua dúvida me parece mais relacionada ao aspecto funcional do transformador

Quando o capacitor elimina o nível DC, o sinal PWM, que antes variava de 0 a 15V, por exemplo, passa a variar de -7,5 a 7,5V. Se adotarmos uma relação de espiras de 1:2, é possível então comandar o MOSFET com um sinal PWM que varia de -15 a 15V. Essa tensão negativa torna o processo de bloqueio mais rápido, o que é interessante para reduzir as perdas por chaveamento. Futuramente, posso fazer um vídeo focado nesse circuito de comando com trafo. Vou anotar a dica, valeuu Ruan

@@CaioMoraesEP Obrigado pela resposta.

@@ruankiuby A minha dúvida é mais na questão do funcionamento deste capacitor,em alguns livros e sites encontrei algo relacionado ao uso dele, mais nada que fosse muito esclarecedor.

hahaha valeu, Moises. Essa é a ideia do canal. Aprofundar em assuntos da eletrônica de potência, que não são facilmente encontrados na internet

Olá, amigo. Colocar mais transistores em paralelo irá exigir mais corrente do driver, caso você não ajuste os resistores de gate. Por outro lado, aumentar os resistores de gate para manter a mesma corrente resultará no aumento do tempo de comutação e, consequentemente, no aumento das perdas por chaveamento. Além disso, você precisa garantir que os IGBTs irão operar com um coeficiente de temperatura positivo. Para isso, é necessário analisar a curva que relaciona a corrente de coletar com a tensão gate-emissor (VGE), e usar uma tensão maior do que aquela referente ao ponto em que a corrente passa a diminuir com o aumento da temperatura. Também é importante usar resistores de gate idênticos para cada IGBT. Aqui vai um artigo interessante sobre o assunto: www.onsemi.com/pub/Collateral/AND9100-D.PDF

@@CaioMoraesEP obrigado pelo ensinamento, eu coloquei 3 igbt na placa da inversora de solda v8 155 Estreme, troquei a ponte retificadora de 66A por duas KBPC.50A e coloquei mais 4 diodos rápido de saída,e aumentei a ventilação. Mas acho que vou tirar o igbt que está a mais porque não tenho conhecimento de fazer oque vc disse.

Esses componentes têm propósitos diferentes. O capacitor em série elimina o nível DC no transformador, diminuindo problemas de saturação. E o resistor em série limita a corrente de gate. Então você pode usar os dois no circuito

Sim, Orides. Não precisa ser a mesma fonte da entrada, mas o ideal é que ambas tenham o mesmo valor de tensão e q estejam no mesmo GND. Esse circuito possui uma limitação que eu acabei não mencionando no vídeo. A tensão de entrada do conversor buck deve ser maior do que a tensão de threshold do MOSFET e menor do que a sua tensão máxima entre gate e source.

@@CaioMoraesEP Valeu pelos esclarecimentos, Caio!

E ai, Raphael. Dependendo da topologia da fonte, o indutor pode funcionar como filtro ou como um armazenador de energia. No conversor buck, por exemplo, o indutor forma um filtro LC passa-baixa com o capacitor de saída. A ideia é atenuar o conteúdo em alta frequência do chaveamento, de modo que a carga só "enxergue" uma tensão contínua bem definida

@@CaioMoraesEP Obrigado pelo esclarecimento!

Ontem o Wagner Rambo postou um circuito de de PWM com gate driver, vi que ele usou em paralelo 10uF eletrolítico. Tem ideia de como isso afeta o circuito?

Olá, Ruan. O certo é usar um capacitor maior do que o valor calculado mesmo. Mas como eu considerei nos cálculos uma variação de tensão no capacitor de bootstrap bem pequena (apenas 0,05*15V = 0,75V), o de 100nF ainda consegue manter essa tensão dentro de um intervalo ok para comandar o MOSFET, e era o único que eu tinha em mãos ali na hora.

@@ruankiuby Se a capacitância for muito maior do que o valor necessário, o carregamento do capacitor de bootstrap fica muito lento. Por isso, dependendo da razão cíclica e da frequência de chaveamento, pode ocorrer de o intervalo de carga do capacitor (quando a chave de baixo fica ativa) não ser longo o suficiente para atingir a tensão do bootstrap.

@@CaioMoraesEP ahh, sim. Certo

@@CaioMoraesEP Sim, era essa minha dúvida. Eu vejo por aí o pessoal colocando capacitância a rodo

A corrente de gate não é limitada apenas pelo resistor externo. O próprio gate-drive possui uma resistência de saída, e o MOSFET possui uma resistência de gate interna que devem ser consideradas no cálculo do resistor externo. Mas a sua observação foi muito boa. Provavelmente não me atentei a isso nesse circuito hahah acho que aproveitei os componentes que tinha testado com outro gate-drive

@@CaioMoraesEP Obrigado pela resposta Caio! No caso também perguntei isso porque nos datasheets que vejo de gate drivers que operam com bootstrap (os IR da vida) aparentemente não mostram a resistência de saída, nesse caso tem alguma sugestão de como calcular a resistência externa sem essa informação?