回路を短絡させないために必要で、また、出力電圧の矢印の見栄えが良いための抵抗の位置かと。

ありがとうございます！重要なご質問ですね。 小信号増幅回路は「大きな電圧信号」を取り出す回路ですので、信号を取り出す部分では電圧振幅が大きい必要があります。 コレクタ側からVoutをとればコレクタに挿入した抵抗による電圧降下（抵抗値×ic）によって抵抗の下側部分の電圧が大きく振幅するので、そこから（電圧）出力を取るわけです。 抵抗を挿入しているのもそのためです。電流振幅によって電圧振幅させるため。（電流が大きく振幅していても、抵抗がないと電圧は振幅しませんよね） もしエミッタ側に抵抗を入れて、そこから出力を取る場合は「エミッタホロワ」と呼ばれる回路になります。 細かい回路の説明はここではやりづらいのですが、エミッタホロワでは電圧増幅はできません。 小難しい話をすると帰還がかかって電圧増幅にならないということになるのですが、要はトランジスタのバイアスには一定のVBE直流電圧である必要があるので、ベースに電圧信号を入れてもVBEが一定ならエミッタの電圧信号の振幅もベースの電圧振幅と同じ値（増幅度１）になってしまいます。 エミッタホロワは電圧増幅とはまた違った役割で必要とする回路なので、今回の（電圧）小信号増幅にはなりません。 長くなりましたが、以上参考にしてください。

icはibが何倍かされたもの(ic=βib)なので、小信号のviが交流だとそれによりibも交流で流れるので振動することから、それのβ倍のicも当然振動するということです！

①ここでは電圧のことを指しています。 ②増幅するのは単なる一つの交流電圧というわけではなく、マイク等で拾った音声を電圧に変換したような微小な「電圧信号」を増幅することを想定しているわけです。代表して交流電圧を書いていますが、ここに入るのはただの交流電圧というわけではなく、信号の波を電圧に変換したものだと考えてください。実際の音の波を電圧の波に変換したものなので、現実には単調な交流電圧だけではなく、いくつもの波が重なったような複雑な波形になりますが、学習の上では便宜上、複雑な波形を書くのも面倒なのでテキトーな正弦波の電圧を代表して記載しています。 なので、最初からVoの大きさの交流電圧を用意するというのは、言ってしまえばマイクなんか使わず最初からでかい声で会場中に響き渡る地声を出せばいいじゃないか、というようなことを言っているのと同じような感じになってしまいます。 マイクで音の波を電圧の波に変換する（この時点では微小な電圧信号） ↓ その小さな電圧の波を増幅回路で増幅する ↓ 増幅した電圧の波をスピーカーに入力する ↓ スピーカーからは大きな音が出てくる。 ざっくりこういうような流れの中で、マイクで拾った状態の電圧の波は非常に小さいので、まずはそれを増幅させたい、というのが増幅回路の意図になります。

@@tottaro 納得できました、ありがとうございます

もしエミッタに抵抗を入れて出力電圧を取り出そうとしても、VBEの電圧はほぼ一定になるので、電圧増幅度はほぼ1になります。(コレクタ接地回路、もしくはエミッタフォロワと呼ばれる回路になります) つまり、通常の直流バイアス状態だと、Veは常にVb-0.6~0.7V程度の電位状態になるので、信号電圧としては、ベースの信号電圧が、そのままの大きさでエミッタに伝わる形になります。

返信して頂きありがとうございます。 引き続き勉強させて頂きます。 これからも色々な動画期待してます。 本当にありがとうございました。

この動画ではホール（正孔）の説明がありません（簡単にするためと思われる）が、大まかにはこちらの動画の通りです。⇒kzfaq.info/get/bejne/fdN-ktiDlqivYok.html 補足としては 1.ベース領域（Ｐ）はより多くの電子が貫通できるように主に耐圧などの条件の範囲内で薄く作られています。 2.エミッタ領域（Ｎ）はより多くの電子を放出（エミッション）できるように添加される５価の元素をコレクタ領域（Ｎ）より高濃度としている。 などの工夫がされています。因みにバイポーラとは双極つまり電子と正孔のふたつの要因で動作するためです。

すこし横軸のvを変えるだけで縦軸のIの値は大きく変わるからです！ 小信号の交流電源は、交流であるためvは変動します。なので、少しのvの変動幅で大きくIが変わるには傾きが大きくないといけない、という感じですかね！(小さい信号で大きい出力をさせるのがこの回路の目的なので)

PNPに限らずNPNで、エミッターからコレクターに向かって電流が流れる理由も分からないと思いますが、もし自分で理解できたならトランジスターの発明者になれてたかもですネ！ 何、そういう意味ではなく、EとCを逆使い出来ないのは何故か？ 出来ますがhFE(電流増幅率)がケタ違いに落ちます、ソレは何故なのか？ ↓の方が解説下さいます。(丸投げ ネット情報のコピペになってしまいますが以下の理由。 ・トランジスタの構造は、npn または、pnp ですから、対称です。それにも関わらず、コレクタ/エミッタという区別があります。動作原理の上では、確かに対称です。しかし、所定の特性を出すために、寸法的には、非対称になっています(図 4.3-6)。また、エミッタは、コレクタよりも不純物の濃度が、はるかに高くなっています。　　→ www.miyazaki-gijutsu.com/series4/densi0431.html 現在のシリコントランジスタは「ガス拡散法」や「イオン注入法」等を用いて、一つのシリコン基板上にP型やN型の半導体を何層も作り込むことが可能になっていて、その厚みや不純物濃度などを設計どうりにコントロールすることによって希望する特性のトランジスタが製造されます。

あざっす！

ちょうどよい電流でバイアスしようとすると0.6～0.7Vになってしまうというイメージで、ベース-エミッタにそれ以上の電圧をかけることも可能なんですが、 その時の電圧電流特性として、電圧を0.1V増加させるごとに電流は10倍前後に増えていく、というような規模感で電流が増加します。 （シリコン半導体の場合。厳密な計算ではなくあくまでイメージですが。） なので、例えば5Vとかをかけようとするすると、トランジスタにとっては途方もなく大きな電流になってしまうので、 結果的に通常の増幅回路で使用するようなバイポーラトランジスタをバイアスするのにちょうどよいベース電流にするためには、0.6～0.7VくらいのVBEの範囲になります。

詳しい話をすると、ダイオードの順方向電流特性を決める方程式を持ち出さなくてはならないので「小信号増幅」用途では0.7[V]近傍の値になると理解して先に進んだ方が良いかと思います。あと付け加えると、0.7[V]近傍という値はダイオードやトランジスタを珪素(シリコン：Si）で造る事に由来するものです。他の元素、例えばゲルマニウムやガリウム・砒素等々にした場合は値が異なります。 ・・・半導体工学の領域に足を突っ込んで話を仕出すと、電磁気学や量子力学の初歩の学識がウジャウジャ湧いて出てくるので俯瞰する観点で先へ進んだ方が宜しいかと。

バイポーラトランジスタはB-E間電圧が0.7V程度になるように、一生懸命に自身の抵抗を変化させる。 というイメージはどうでしょうか。

エミッタフォロアでDC的に接地から浮かして、0.7Vより大きいDCオフセットを吸収する回路構成。AC的にはエミッタ抵抗に並列に接続されたコンデンサで接地を保って増幅信号を確実に受け取れる様にしています。これは自己バイアス回路（電流帰還バイアス回路）とも呼ばれています。これにより温度特性のバラツキやノイズが低減されています。 この辺は説明されていないので、Webで検索してください。