【次世代パワー半導体】SiCパワー半導体がなぜ使われるようになったのか解説【シリコンカーバイド】

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Күн бұрын

鉄道や電気自動車への採用が進んでいるSiCパワー半導体(SiC-MOSFET)について解説しました。
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東芝, SiCショットキーバリアダイオードアプリケーションノート toshiba.semicon-storage.com/j...
佐藤, 加藤, 福島:「新幹線車両N700Sの駆動システムの開発」, 電学論Ｄ,Vol.140, No.8, 2020.
小林:「東海旅客鉄道株式会社向けN700S 新幹線電車用電動品」, 富士電機技報, Vol.93, No.4, 2020.
友久, 日野, 田中, 川原 , 香川:「省電力化を推進するSiC-MOSFET技術」,三菱電機技報,Vol. 91, No.12, 2017.
中沢, 三柳, 岩本:「Si-IGBT・SiC-SBD ハイブリッドモジュール」, 富士電機技報, Vol. 84, No. 5, 2011.
岩﨑, 奥村, 金子:「第2世代SiCトレンチゲートMOSFET搭載All-SiCモジュール」, 富士電機技報, Vol. 92, No. 4, 2019.
恩田:「SiC ウエハの現状と展望」, DENSO TECHNICAL REVIEW Vol. 22, 2017.
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#シリーズ半導体
0:00 パワー半導体の外観
2:14 ロジック半導体とパワー半導体のちがい
4:35 パワー半導体についてざっくりと解説
7:11 パワー半導体の応用先を紹介
7:44 どのようにして電力を変換する？
10:40 パワー半導体に必要なこと
12:32 ダイオードにシリコンカーバイドを使う
15:15 MOSFETにSiCを使う
18:24 なぜシリコンカーバイド使いたいのか
19:07 損失低減のメリットは大きい
20:37 パワー半導体で発生する損失
23:24 ターンオフ損失 IGBTと比較
24:23 ターンオン時のリカバリー損失も大きい
26:33 電気自動車もSiCパワー半導体を使う時代に！
28:26 鉄道にもSiCの導入が進んでいる
29:58 Si-IGBTのスイッチング損失を実測
36:12 SiC-MOSFET, SiC-SBDのスイッチング損失を実測　
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Пікірлер: 219

@ICHIKEN1 Жыл бұрын

この動画が役に立ちましたらSuper Thanksでご支援お願いします！ PSpice® for TI ですがTI以外の他社のSPICEモデルも利用可能です 👉 bit.ly/3QpmZTe 半導体関連で取り上げてほしい内容がありましたらこのコメントに是非返信ください！

@user-fb6ip4bf4u Жыл бұрын

アメリカの半導体産業の本気度ですねw

@user-fb6ip4bf4u Жыл бұрын

@@kojiki-ninpoo ざっくりだとシリコンに回路の作成が前工程それを切ってパッケージまでが後工程ですね

@user-fb6ip4bf4u Жыл бұрын

前工程で投入から前工程終了まで最短で2ヶ月かかる通常なら3,4ヶ月

@TROPPIES Жыл бұрын

鉄分ある人間としてはIGBT以前のGTOとかパワートランジスタ、IGBTで流行った？IPMとか、あと2レベルと3レベルの違いとかにも触れるかと期待してたりします。ハムも嗜む勢としてはアンプ用のGaAsFETはロジックというよりパワー寄りと思ってたりしますがどうなんでしょう？ 1.5kV線区における長編成でのインバーター制御の本格的な採用が世界初（自称）な新京成の8800形はGTOサイリスタからフルSiCに載せ替えてたりしますが、比較としてはN700のAとSより差が大きそうな気がします。ちなみに分解して欲しいHVのインバーターはジャパンタクシーのですね。

@ojanmaru Жыл бұрын

25分まで見たよ( `･ω･´ )ゝ

@TETRA_SUZ Жыл бұрын

TIがスポンサーのKZfaqrはすごすぎる

@user-qq5rh8sr4f Жыл бұрын

そのうちアナデバも付けるでしょ、知らんけど

@amatousousai Жыл бұрын

こんなに一般受けしなそうな内容で30万人は本当にすごい

@dandan050 Жыл бұрын

30万人の変態の皆様、おはようございます。

@asada7279 Жыл бұрын

こんなに一般受けしそうな内容で30万人は本当に少ない？😎

@user-mu6sm2sr1n Жыл бұрын

本当ですネ。自分もなんで観てるかわかりません。ほとんど理解できないし、利用なんてもってのほか。でもなんとなく、賢くなった気が、、、します（汗💦

@hajimetokyo6904 Жыл бұрын

それな！

@akirakunn10 3 ай бұрын

なーんかわかった気になるのが不思議。

@dodonta Жыл бұрын

電気科を出ていない自分でも動画を見ているだけで、なるほどと思えることがたくさんあり、大学講義レベルの話をyoutubeで見ることができていいのか！と感じることばかりです。ありがとうございます！電験がんばります。

@atoztoztoa Жыл бұрын

大学、大学院とSiCパワーデバイスの研究をしていたので懐かしいです。実用レベルになり、新幹線やEV等に使用されているのを見ると感慨深いです。

@user-jh5zv4ui5k Жыл бұрын

日本が開発した酸化ガリウムパワー半導体に置き換わるでしょうｗ

@Cyan_pro04 Жыл бұрын

@@user-jh5zv4ui5k 窒化…((ﾎﾞｿｯ…

@user-jh5zv4ui5k Жыл бұрын

@@Cyan_pro04 kzfaq.info/get/bejne/oOCCrJx_qrnSnac.html

@asuzuki3373 Жыл бұрын

@@user-jh5zv4ui5k酸化ガリウムは価電子帯オフセットの問題があって実用化は厳しいと思うんですが・・・

@user-jh5zv4ui5k Жыл бұрын

@@asuzuki3373 既に実用化され始めてるけど？こちらの動画も kzfaq.info/get/bejne/oOCCrJx_qrnSnac.html

@kingspe Жыл бұрын

パワー半導体を扱う会社に転職しましたが、教育など特にないため独学に苦労しています。イチケンさんの動画を足がかりに色々と学んでいきたいと思います。いつもありがとうございます。

@W650kawasaki Жыл бұрын

メモリ、ロジックではすっかり日本メーカを聞く事が無くなったが、パワーデバイスでは主導権を維持し続けてほしい。

@gzunda55 Жыл бұрын

よどみなく流れる無駄を省いた簡潔明瞭な説明、プレゼン力に敬服します。 SiCといえば、かつてSiトランジスタの長時間高温処理に石英の代わりに炉心管やボート（炉内用のウェハー立て）の素材として使われていました。初めてSiC半導体と聞いた時には、え、あのSiC？となりました。今回の動画で何故優れているのかが良く分かりました。もうリタイアした身ですが、また新たな知識となりました。ありがとうございます。

@SiC-PowerSemiconductor Жыл бұрын

SiCパワー半導体について、今までこれほど分かりやすい動画は他になかったですっ！感謝します。「内容が難しくとも動画を楽しめる」って言うコメントがよくありますが、これがイチケン動画のスゴイところです。すごいわ。

@maimai662 Жыл бұрын

素晴らしい講義でした。パワー半導体のトレンド学ぶことができました。

@HiroMRT501 Жыл бұрын

20年ほど前にIGBTでPFN回路を設計しました。半導体でもこんなことができるようになったのだなぁと感激しましたが、大電流を扱う難しさも同時に痛感しました。懐かしい。

@suzunonene Жыл бұрын

電気・電子クラスタではなくソフトウエア側の人材ですが、組み込み機器を専門にしていますのでハードウエア側の知識や事情を勉強すべくイチケンさんの動画を見ています。一番気になっていたデバイスであるパワー半導体について、ここまで詳しく分かりやすく講義した動画は他にはなく、良質な動画の公開を有難うございました。とても分かりやすかったです。特に損失に関して、ターンオン/オン/テールの三種の損失の詳細についてきちんと理解できてとてもよかったです。 SiCに関してそんなに知識があったわけではなかったので、どういう理由でSiCが有利なのか仕組みから理解出来ました。こんなニッチな尖がった分野のはずのチャンネルの登録者数が30万に到達するってことは、日本の電子関係の技術者や興味のある層がこれだけいるってことだと思います。 30万登録に到達、おめでとうございます。日本の電子技術の発展にとても貢献していると思います、応援していますので頑張ってください。

@ZygmuntKiliszewski Жыл бұрын

I believe that silicon carbide (SiC) technology is slowly coming to an end. For a long time, research has been conducted on the technology of metallic glasses and their application in power electronic devices. Of course, he cheers for Japan and any country that is serious about this technology. Over the last few years, I have repeatedly asked Scientists and Designers to undertake this research in the field of modern electrotechnical sheets for the production of armatures, especially synchronous motors. I think I have some input in this area as well. Greetings, Sir!

@shinaxo Жыл бұрын

凄く分かりやすい解説だなと思った一方きなこ棒の当たりが頭を支配しました

@521keilove Жыл бұрын

登録者数30万人おめでとうございます！そしていつもわかりやすい解説ありがとうございます。アップをいつも楽しみにしてます！

@ICHIKEN1 Жыл бұрын

ありがとうございます！

@yunxiangye7954 Жыл бұрын

SiCに携わっているので、解説動画うれしいです。

@user-ji3jv8id5h Жыл бұрын

今後とも動画楽しみにしています！

@masahikotomita1084 Жыл бұрын

パワー系の専門業務ではないですが、とても分かりやすく拝見できました。また実験画像もとても分かりやすく、大学のパワーエレクトロニクスの講義よりもはるかにわかりやすかったです（もう20年前、IGBT全盛期の時代ですが）

@user-hv5wm7hi2p Жыл бұрын

実際、パワー半導体って聞くけど、これほど詳しく解説してくれて面白かったのと、勉強になりました。ありがとうございます。

@Semicon_Academy Жыл бұрын

わかり易すぎて感動しました...！！次回以降のパワー半導体の動画も楽しみにしています！！

@ti6079 Жыл бұрын

長時間の動画お疲れ様でした。PCのマザーボードのように低電圧大電流の用途はSi-MOSが性能・コスパの面でまだまだ有利かと思いますが、高電圧大電流となると、スピードに妥協しながらON損失がR*IのIGBTか、R*I2でありながらON抵抗が低く損失が低い＆速度の速い（ただし値段が高い）SiCが有利ですね。（院生時代、テスラコイルのために出たばかりのSiCMOSとSBDを千石に買いに行ったのを覚えてます。未だに完成させてないですが）それと超マニアックなリクエストになってしまいますが、ハイサイドドライブについて取り上げていただけるとありがたいです！

@user-hc8td3qw9b Жыл бұрын

いつになく、楽しそうなイチケンさん。聞いている方も、なんとなく楽しくなる。

@terryy3857 Жыл бұрын

TIってSiCデバイス持ってないのにスポンサーするって凄いな

@user-om2ex8zl9t Жыл бұрын

すごく勉強になりました！

@shayakawa946 Жыл бұрын

「皆さんはテキサスインスツルメンツの半導体をお使いになるかと思いますが・・・」→「チーン」ですし、言葉が念仏のように聞こえてきますが、イチケンさんは鉱石ラジオを作ったりと、有意義な動画を作成されていると思います。頑張ってください。しかし、今日はこれまで以上に平易な言葉で説明してくださり、良かったです🤩ナイフスイッチを用意してくださり、ありがとうございました。ますます、理解が深まりました。そしてパワー半導体に詳しくなりました💦☺あんな細い端子や間隔で結構、高圧・大電流が流せるんですね！

@eco713 Жыл бұрын

いつも有難うございます。楽しみにしています。

@cube350 Жыл бұрын

いつも勉強させていただいています。応援してます！

@almondtofuxbluefield Жыл бұрын

パワー半導体の解説待ってました。GaNの解説もぜひお願いします。

@tourjapan7411 Жыл бұрын

大電流大電圧の制御をパワーMOS-FETでどう制御してるのか詳しく解りやすく説明していただきありがとうございます。

@kei4421 Жыл бұрын

今回はイチケンさんの本気が垣間見えた気がします。その代わり・バイポーラデバイスとユニポーラデバイス・ショットキーバリアダイオード・少数キャリアの掃き出し時間・不純物のドーピング濃度・空乏層なんかの用語がさらっと出てきて、これは皆ついて来れてるのかな？と思ってコメント見たら「すごく分かりやすい！ありがとうございます」みたいなコメントばっかりですごい。ここの人たち全員が半導体物性・バンド理論を履修している…？日本の製造業の未来は、言うほど終わってなかったかもしれない

@sangjela Жыл бұрын

Texas Instruments!!!!! すごい。。。

@trainthomas5673 Жыл бұрын

素晴らしい高品質な内容に感服いたしました。

@user-lh1ju2ye6p Жыл бұрын

お陰様で毎回楽しんでいます。私は今年80歳ですので中学の時期に真空管時代からトランジスタの時代に入れ替わりそれまで趣味で真空管アンプなど自作していました。その当時、1960年初期まで自動車ラジオB電源をバイブレーターを使っていたので故障、雑音で悩ませられました。イチケン様にその時代の歴史を聞かせて下されば嬉しいです。

@user-bm8jz1dc5l Жыл бұрын

解説ありがとうございます。

@taninouchiaki1157 Жыл бұрын

いつもわかりやすい解説、すごいね。

@fukuiti1940 Жыл бұрын

よくわからんが、日本の技術者は素晴らしい。というかこうゆう日本人がいるので日本は存在する。ありがと。

@34suimei Жыл бұрын

パワー半導体ってよく耳にしますがこの動画内容が理解できる人が羨ましい。

@yamachandesu Жыл бұрын

ありがとうございます！

@kinocotakenoco222 4 ай бұрын

むっちゃ勉強になりました。ありがとうございます。

@AkioTomiyama Жыл бұрын

23:15 「耐圧を犠牲にせずにオン抵抗を低くできる」という表現は、高耐圧と低オン抵抗とが二律背反の関係ではなくなる、と誤解を生じさせるかも知れません。 Si-MOSFETもSiC-MOSFETも、耐圧はキャリア層の厚みに依存すると思います。同じ耐圧のものを想定した場合、Si-MOSFETよりもSiC-MOSFETの方が、ドリフト層を薄く設計できるので、低オン抵抗を実現しやすいということだと思います。

@300bnori9 Жыл бұрын

SiCって凄いですね！良い事尽くめですね。解りやすい解説ありがとうございます。秋月で590円で売っている様なので、使ってみたいと思います。これでリレーから解放されそうです。

@gucci_gucci_gucci Жыл бұрын

天下のTI案件とは…

@user-go9wx7cw1e Жыл бұрын

たまに視聴してます。どうしても電気（または電子）回路って、ブラックボックスなところがあって後に繋がらなくなるなるんだけど、イチケンさんの分かりやすい解説で楽しんで拝見しています

@26c62626yamashita Жыл бұрын

夏の疲れなど十分に注意をして無理はせずに、がんばってほしいです。

@user-xw9sx7ic4r Жыл бұрын

大きい声では言えませんが、パワー半導体のチップを作ってる工場に勤務しています。毎日死ぬほどチップを見てますが、パワー半導体の理屈は詳しくは知らないので勉強になります。因みにウエハーはSiです。これ以上は詳しく言えないのでご了承下さい。因みにウエハー投入からチップ完成までに３ヶ月ほどかかるようです。

@MrTomo5784 Жыл бұрын

流石イチケンさんすね👍

@makotofukuda3498 Жыл бұрын

素晴らし　すぎます。ありがとうございます。

@user-cn1fq7wx9v Жыл бұрын

動画ありがとうございました。オシロが興味深かったです。面積損失も計測できるオシロ初めてでした。イチケンさんもこのようなオシロ検討されているのかな？

@goomen777 Жыл бұрын

勉強になった。よかった。

@heysum8814 Жыл бұрын

大変参考になりました、ありがとうございます。学生時代のサボり気味だった授業を思い返し、懐かしく思いました。この動画が日本の若者たちに是非見てほしいですね。

@9r349 Жыл бұрын

700s系の新幹線がパワー半導体をSiCに置き換える事で冷却機能を走行風に変更、モーターの羽根を増やして小型化により大幅な軽量化というのを見て見直しに来ました。

@MORY0123 Жыл бұрын

実にわかりやすい説明でした。こちらがお金を払わずして、高度な技術の説明が無料で聴けるなんて夢のようだと思います。因みにフルSiC-VVVF(MOSFET-VVVF)ですが、在来線や多くの私鉄に活用されているみたいですね。音としては、遠くでジー…と蝉が鳴くような感じでしょうか。(^.^)

@user-ou3uu6zz9u Жыл бұрын

電気の素人の私に解りやすい解説ありがとうございます。

@ToyotaAvensis2009 Жыл бұрын

SiCMOSFET拡販の某メーカーの海外営業マンです。非常に詳しいご説明有り難うございました。復習の意味で楽しく拝見させて頂きました。ただ、ゲート抵抗変えての波形は初めて見せて頂き、非常に興味深かったです！！！

@user-yf9di8mx9s Жыл бұрын

（自分はやってないけれど）同じ研究室の友達がSiCの研究やってるので知ってるところ知らないところがあって楽しかったです

@r-tumu Жыл бұрын

パワートランジスタとMOSFETの違いが曖昧にしか理解できてないので詳しく解説していただけると有り難いです

@HiroMRT501 Жыл бұрын

いちけんさんの過去ログにあったと思いますよ

@kazumasuishikawa2733 Жыл бұрын

冷却設備を簡略化できるのは大きなメリットですね。製造コストが課題ですが。

@user-er5di3ft7x Жыл бұрын

謝謝！

@masavcc2000 Жыл бұрын

わかりやすい説明ありがとうございます。是非GANについてもお願いします。😊

@user-vr7yt6np4m 8 ай бұрын

アマチュア無線家ですが、無線機器のパワーデバイスに興味が有りますが、今主流のデバイスの傾向を知りたいと思って居ますが、此の講義は大変参考に成りました。

@yumemigoto Жыл бұрын

勉強になりましたー …ただ、言葉を全部理解するには難しい

@user-dz2ef4kv1m Жыл бұрын

イチケンさんの英語訛りのしゃべり方がエエなあ❗

@SM-go6ny Жыл бұрын

SiとSiCの温特も併せて説明してほしいです♫

@hamamatsu232 Жыл бұрын

電気工学科電車オタクとしては嬉しすぎる

@lambdastar308 Жыл бұрын

SiC半導体を使ってIH調理をしたら面白そうですね

@tsuyamabase130 Жыл бұрын

なんでだろ・・・・内容がサッパリわからんけどチャンネル登録してしまった😁

@MrZZRichie Жыл бұрын

イチケン解説は、とても良く理解出来る(^^)

@0abj0123 Жыл бұрын

今回はパワー半導体だけにパワー(気合)入ってるな！チャネルの趣旨からすると外れてしまうものの本来なら有料でも十分なレベル。

@user-nl6ck1dj4e Жыл бұрын

提供凄くて草

@user-by8uf8vj3z Жыл бұрын

ティアックが作る「F1」というオーディオアンプにはシリコンカーバイトパワー半導体が使われていて、素晴らしい性能だそうです。

@auto3030jp Жыл бұрын

私は専門家ではありませんが、かなり分かりやすい解説ですね。

@user-xg1fv3fj9s Жыл бұрын

TIから案件とってこれるってすごいですね

@user-tr2jt9he3e Жыл бұрын

提供の宣伝の仕方といい、内容のクオリティといい、海外のテック系KZfaqrっぽいなw

@user-yf6cn4oq3k Жыл бұрын

SiCには凄く期待してて関連株買いました

@younan68000 Жыл бұрын

SiCの一番の利点はふたつある。ひとつは、サージや熱の耐性が高いこと。もうひとつは、Onに転移するためのゲート電圧が18v以上と高いこと。単に同程度のOn性能を持つシリコンのPower MOS FET であれば、IXYS にもあるし、回路を変えずに使えるので、そちらの方が良いとも言える。サージや熱の耐性が優れているのは ROHM に大量のカタログが公開されているので一読すれば良い。一方で、ゲート電圧が高いことで利点は、誤点弧しにくいことがあり、扱いが楽になります。ゲートをドライブするゲートドライバーは同じROHM にあるので、調べると良いです。折角なので、ここではひとつの提案をします。そもそもゲート電圧は18v以上にしなければならないので、このドライブは面倒です。で、イチケンさんも話している様に、一般に使われている74シリーズのデジタル IC は5v程度しか使えないので、話になりません。これに代わるドライブ IC として、4000シリーズのデジタルIC を使うといいです。この4000シリーズは18〜20v程度まで使えますので、この扱いには丁度いい感じですが、物によっては18vが上限なので、少し注意が必要です。最も、ドライブIC は売られているので、そちらを使えば問題なくドライブできますので、そちらを使えばいいでしょう。個人的に遊びで使う場合の話しですが、4000シリーズはアナログでも使えるので、皆様もぜひ購入して応用されてください。

@user-mf2co7qw2k Жыл бұрын

パワーMOSは材料の入手性とコスト次第よなー。もうしばらくはIGBTの時代

@funazushi7099 Жыл бұрын

IGBT 電車、三菱の電気自動車に使われてますね昔、作ってた。

@Milepoch 2 күн бұрын

昨今は量子物理的に物事考える電子の質量はゼロではない、なので慣性の法則が働くそんな観点から波形見てみるのも面白い

@user-ex8kr8df1e Жыл бұрын

『プリウスのインバーターを分解したものですが…』と、まるでサンマを三枚に下ろしたかの如く説明している事に(笑)🤣🤣🤣

@hisam8757 Жыл бұрын

スポンサーがTIってすげー！

@yamachandesu Жыл бұрын

スイッチング損失を少なくするソフトスイッチングをやる為の回路と制御方法も知りたいのです‼️ 　色々とリクエストして大変かもしれませんが気長にまっていますのでその気になったらお願いします❗️

@makotot2758 Жыл бұрын

ありがとうございます。大変勉強になりました！ SiCの理論上（？）のジャンクション温度と実用時のジャンクション温度が違う理由は、素子が耐えられても他の部分が耐えられないみたいな理由なのでしょうか？

@nayamu8319 Жыл бұрын

１０年前は、チップと端子をつなぐボンディング部分が発熱に耐えられないことが理由だったと思います。今は違うかもしれません。

@jackal7123 Жыл бұрын

SiC結晶は昇華法なんですね。やっぱレーザー光で溶融させてからの急速冷却では乱暴過ぎたか・・・　。

@htphd6196 Жыл бұрын

SiC系かGaN系か…この辺も知りたいところですね。

@user-hf9jj2ni1u Жыл бұрын

成る程、電力素子や、測定機・シュミレーターの進歩で回路設計も寄り緻密に成って居るのですね、昔は精密な測定も出来無かったし、大雑把だったなーｗ。高速スイッチングには高周波設計技術が必須に成る等、今の技術者は面白くも大変ですね。

@user-ji3jv8id5h Жыл бұрын

SiCのサージを下げるためにゲート抵抗を上げた時際のトレードオフってありますか？ゲートスイッチングが遅くなることでしょうか？

@nayamu8319 Жыл бұрын

そのとおりです。あと、ターンオフ時にボディ・ダイオードに逆電圧がかかるので逆回復特性が良いことも重要です。

@izumo4283 Жыл бұрын

ゲームソフト出身なんでTIというとホビーパソコンTI99/4Aとそれに使われていたCPUやビデオ、サウンドのLSIが最初に浮かぶ。後は音声合成LSIとか。時代は下るけどDSPや電卓も。

@atsushi369jp7 Жыл бұрын

1200vもの高圧をあんな薄くて小さい端子にかけて大丈夫なんですね、不思議。

@bahaaalaagmail Жыл бұрын

No English subtitles 😞

@Tk-ng7pb Жыл бұрын

詳しい解説ありがとうございます。パワー半導体は日本の半導体復活のカギになる！

@ZygmuntKiliszewski Жыл бұрын

SiC技術はもうすぐ終わります。金属ガラスに基づく半導体のテストを提案します。それらは、導体、抵抗器、磁気コアと同様に、その構造の驚くべき可能性により、長年にわたって支配的です。ごきげんよう、サー！ SiC gijutsu wa mōsugu owarimasu. Kinzoku garasu ni motodzuku handōtai no tesuto o teian shimasu. Sorera wa, dōtai, teikō-ki, jiki koa to dōyō ni, sono kōzō no odorokubeki kanōsei ni yori, naganen ni watatte shihai-tekidesu. Gokigen'yō, sā!

@user-tp2ob6iq7n Жыл бұрын

大変詳しい解説ありがとうございます！　私素人ながら、大変分かりやすく理解させて戴きました。実は知り合いから2019年にSICMOSトランジスターのオーディオアンプを製作頂きました。先日代4世代の石に交換。なかなか石の使い方はシビアみたいですf(^_^;)

@user-jp5il6bz2w Жыл бұрын

GaNも比較お願いします～

@mikunitmr Жыл бұрын

パワー半導体の小さい方を見ても、パワーアンプに使ったらどんなかなという感想しか浮かんでこない。大きいやつだと電車のインバーターかな。

@yamachandesu Жыл бұрын

今度，LTSpiceの使い方をIGBTを使った、正弦波単相インバータを例にとった動画を見たいです。以前、PSpiceではやったことありますが，LTSpiceに駆逐されてしまい、現在は本物部品を使える無料の LTSpiceになっていて、ダウンロードしてやりかけました。本も購入しましたが，イチケンさんのわかりやすい動画を是非ともみたいです。　さきほどのTO3P型のリクエストもありますから、さらに、その支援としてSuper Thanksをこの後送ります。一部ですが寄付いたします。

@user-lo9qr1bl7y Жыл бұрын

他のWBG素子であるSiCとGaNとの違いが知りたいです。 SiCがGaNよりもっとたくさん使われる理由がありますか。

@user-oe7pr5ww2m Жыл бұрын

海外では窒化ガリウム結晶の大型化が進んでコストの問題はあれど容量だけでいくとSiCに迫るキャパを持つ大型半導体ができるんじゃないかと言われてますがどうなんでしょう?

@NONTANUTAN Жыл бұрын

究極はダイアモンド半導体とかですかね・・・

@is-dp4kk Жыл бұрын

@@NONTANUTAN その前に酸化ガリウム！

@masahirosasaoka1153 Жыл бұрын

炭化ケイ素のロウ付けの研究してたなー

@ajsdfasa Жыл бұрын

知ってる方教えて下さい。私の認識だとMOSFETの横についてるダイオードはMOSFETの構造上仕方なくできるダイオード(ボディ/寄生ダイオード)かと思ってましたが、この動画内での「SiC-PiNダイオード」は別で付けてるダイオードですか？それともボディ/寄生ダイオードのことですか？

@1969kim1969011 4 ай бұрын

なるほど、最新のAppleチップは放熱が問題になってるけど、SiCなら解決できるかもですねぇ

@user-fp6np6bz2b Жыл бұрын

SiCパワー半導体の研究開発には、京都大学名誉教授の松波先生（SiCアライアンス会長）など、日本の研究者が大きな貢献をしています。電気自動車での搭載が増え、これから大きく普及していくと思いますので、SiCインバータの解説も楽しみにしています。

@ZygmuntKiliszewski Жыл бұрын

おっしゃる通り、SiC 技術はパワー半導体の構築に非常に適しています。ただし、金属ガラスをベースにした、より高度なものを探すべきだと思います！それらは、導電性、抵抗率、磁気および磁気ガイド特性、そして何よりも半導体特性などの驚くべき特性を持っています。ごきげんよう、サー！ Ossharu tōri, SiC gijutsu wa pawā handōtai no kōchiku ni hijō ni tekishite imasu. Tadashi, kinzoku garasu o bēsu ni shita, yori kōdona mono o sagasubekida to omoimasu! Sorera wa, dōden-sei, teikō-ritsu, jiki oyobi jiki gaido tokusei, soshite naniyori mo handōtai tokusei nado no odorokubeki tokusei o motte imasu. Gokigen'yō, sā!