Лекция 280. Динамическая память

No video

Лекция 280. Динамическая память

Рет қаралды 8,723

Электротехника и электроника для программистов

Күн бұрын

Описан принцип действия оперативной памяти динамического типа. В ее основе лежит ячейка, хранящая заряд на конденсаторе. Это позволяет уменьшить размер ячейки и, как следствие, значительно увеличить объем памяти на одном кристалле. Для компенсации токов утечки конденсатора используют процесс регенерации памяти.
Список всех лекций на сайте автора в описании канала.

Пікірлер: 11

@sergatmel8242 5 жыл бұрын

Спасибо !

@oleksandrbondarenko5362 3 жыл бұрын

Спасибо

@GorgeousPuree 6 жыл бұрын

пипец я б такое малював бы весь день

@gunnargunaxe 4 жыл бұрын

Хммм. А может линий row должно быть две? Read и write. Первая это write, она заряжает конденсатор через первый транзистор. Вторая read уже позволяет подключить транзистор конденсатора к земле. Иначе по этой схеме конденсатор при каждом чтении будет стираться в ноль, потому что открываются одновременно два транзистора.

@gunnargunaxe 4 жыл бұрын

Всё, досмотрел. Регенерация происходит и при чтении и при записи и в режиме ожидания

@valerii-barabanov-vvb 3 жыл бұрын

@@gunnargunaxe А запись и регенерация по сути ничем не отличаются

@glukmaker Жыл бұрын

@@valerii-barabanov-vvb Ну как бы не совсем. При записи нужная ячейка записывается, а все остальные ячейки этой строки регенерируются. При чтении все ячейки строки регенерируются, а из нужной кроме того сигнал поступает на выход.

@wetwellwet67 Ай бұрын

Я тоже дня три смотрю это видео, - как-то не понятно. Но для понимания ввиду отсутствия русскоязычных материалов стал смотреть индусов по запросу 3t dram. Так вот, у индусов именно как вы говорите, две линии. Вам целых 3 ответа кто-то написал, но ничего не показывается

@wetwellwet67 Ай бұрын

У индусов 2 линии