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未來,SK海力士將採用台積電的邏輯制程,生產 HBM 的基礎接口晶片base die。此前有相關報道稱,SK海力士和台積電已同意合作開發並生產 HBM4,將於 2026 年量產。HBM 將核心晶片堆疊在基礎接口晶片之上,彼此垂直相接。HBM3E 市場競爭已經落後,希望落在了 HBM4 上,三星正在加快研發腳步,以縮小與 SK海力士之間的差距。在代號為Snowbolt的第六代 HBM 晶片 HBM4 方面,三星計劃將緩衝晶片應用於堆疊記憶體的底層以提高效率。據韓國媒體 businesskorea 報道,輝達、台積電和 SK海力士將組建三角聯盟,為迎接 AI 時代共同推進 HBM4 等下一代技術。業界消息人士稱,SK海力士社長金柱善會於 9 月在台北舉行的國際半導體展上發表專題演講。
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